SAMSUNG: Flashspeicher aus 20nm-Fertigung gezeigt

Die Speicherbausteine verfügen über eine Speicherkapazität von 32 Gigabit und lösen die bisherigen im 30nm-Verfahren gefertigten Chips ab. Im Vergleich zu den Vorgängerchips sollen die neuen Bausteine eine bis zu 30% höhere Schreibgeschwindigkeit aufweisen und dank Einsparungen beim  Silizium günstiger herzustellen sein.

Die Schreibgeschwindigkeit soll mindestens zehn Megabyte pro Sekunde betragen, die Lesegeschwindigkeit 20 Megabyte pro Sekunde.

Mr. Soo-In Cho, Präsident der Speicherabteilung bei SAMSUNG dazu: "In just one year after initiating 30nm-class NAND production, Samsung has made available the next generation node 20nm-class NAND, which exceeds most customers requirements for high-performance, high-density NAND-based solutions."

Und weiter fügte er hinzu: "The new 20nm-class NAND is not only a significant step forward in process design, but we have incorporated advanced technologies into it to enable substantial performance innovation."