Das für Japan vorgesehene Modell von Samsungs neuem Flaggschiff, dem Galaxy S3, wird in Japan offenbar testweise mit zwei Gigabyte DDR3-RAM ausgerüstet.
Während sich Käufer eines Samsung Galaxy S3 in Europa und den USA mit einem Gigabyte DDR2-Speicher zufrieden geben müssen, plant der koreanische Hersteller für Japan offenbar eine Version mit zwei Gigabyte DDR3-Speicher. Im Gegensatz zum DDR2-Speicher mit einer Strukturgröße von 30 Nanometern, soll der DDR3-Speicher für die Japanversion im 20-nm-Verfahren hergestellt werden.
Übrigens unterscheiden sich auch das europäische und das US-amerikanisch Modell voneinander. Während im hierzulande verkauften Galaxy S3 ein Exynos 4412 verbaut ist, wird im S3 für die USA ein Snapdragon S4 zum Einsatz kommen.
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