Micron präsentiert 3D-NAND mit 176 Layern

Die diesjährige Flash Memory Summit wurde virtuell veranstaltet. Trotz der Einschränkungen hat Micron die Messe genutzt, um die neuen 3D-NAND-Speicher der fünften Generation vorzustellen.

Mit insgesamt 176 Schichten, den sogenannten Layern, soll die Speichermenge von 3D-NAND weiter ansteigen. Gegenüber den aktuellen Chips mit bis zu 128 Layern, soll sich nicht nur die maximale Datenspeichermenge vergrößern, sondern auch die Lese- und Schreiblatenzzeiten verbessern. Im Vergleich zu den bisherigen 3D-NAND-Flashchips werden bis zu 25 Prozent schnellere Zugriffe in Aussicht gestellt.

Viele technische Details sollen erst Ende des Monats veröffentlicht werden. Wie die Kollegen von Anandtech erfahren haben, soll es sich bei den ersten Chips mit 176-Layern um 3D-NAND mit 512-Gbit-TLC-Speicher handeln, welche in zwei 88-lagigen-Decks gebaut werden. Die Schichtdicke der einzelnen Lagen soll dabei nur 45 µm betragen und das Verfahren wird von Micron "CMOS under Array" genannt.