Samsung plant mit HBM4 schon für 2025

Während die Module des schnellen HBM im Endkundenbereich eine eher untergeordnete Rolle eingenommen haben, konnte sich der schnelle Speicher mit einer enorm hohen Bandbreite vor allem in Datacenter-Bereich etablieren.

Die Entwicklung von HBM geht dementsprechend schnell voran und wird von den meisten größeren Speicherherstellern aktiv gefördert. Im aktuellen Jahr konnte bereits die ersten HBM3-Chips ausgeliefert werden und im kommenden Jahr soll der verbesserte HBM3E auf den Markt kommen. In zwei Jahren steht dann schon das Release von HBM4 auf der Agenda.

Eine erste Aussicht auf die Geschwindigkeit der HBM4-Chips hat Micron bereits in einer Roadmap aufgezeigt, welche den Speicher allerdings noch als "HBM Next" beschrieben hat. Geplant ist laut Micron ein Speicherchip mit bis zu 64 Gigabyte Kapazität bei einer Speicherbandbreite von bis zu 2 TB/s. Der aktuelle HBM3 kommt lediglich auf eine Speicherbandbreite von 819 GB/s während HBM3E auf bis zu 1,2 TB/s bei einer maximalen Kapazität von bis zu 32 Gigabyte kommen soll.

Bei der HBM4-Technologie werden allerdings keine größeren Änderungen erwartet. Mit deutlich mehr Speicherchips kann die Kapazität gesteigert werden, was sich wiederum bei der Bauweise des Speichers positiv auf die Speicherbandbreite auswirkt. Zusammen mit moderaten Taktsteigerungen sollen so die für die jeweilige Fertigung maximalen Kapazitäten und Geschwindigkeiten des Speichers ermittelt werden. Mit HBM4 solle sich das Speicherinterface auf bis zu 2.048 bit weiter erhöhen, auch wenn die maximalen physikalischen Verbindungen bei 1.024 Bit derzeit schon bei 4.000 Pins liegt. Der Packing-Aufwand für HBM4 dürfte sich dementsprechend noch weiter steigern, was den Speicher insgesamt wohl auch wieder teurer machen dürfte.