Freitag, 26. Jul. 2024 17:16 - [ar] - Quelle:Pressemitteilung
KIOXIA, wurde mit dem renommierten Lifetime Achievement Award der Future of Memory and Storage (FMS) ausgezeichnet. Diese Ehrung würdigt die Arbeit des Unternehmens bei der Entwicklung und Vermarktung von 3D-Flashspeichern, die in zahlreichen privaten und industriellen Anwendungen, von Smartphones über PCs bis hin zu Rechenzentren, eine zentrale Rolle spielen.
Das Entwicklerteam von KIOXIA, bestehend aus Hideaki Aochi, Ryota Katsumata, Masaru Kito, Masaru Kido und Hiroyasu Tanaka, wird die Auszeichnung auf der FMS-Konferenz in Santa Clara vom 6. bis 8. August entgegennehmen.
Die Geschichte der 3D-Flashspeichertechnologie von KIOXIA begann 2007 mit der Vorstellung des BiCS FLASH-Konzepts auf dem VLSI Symposium. Nach der Konferenz arbeitete das Unternehmen intensiv an der Weiterentwicklung des Prototyps, um die Technologie für die Massenproduktion zu optimieren. 2015 brachte KIOXIA schließlich den weltweit ersten 3D-Flashspeicher mit 256 Gigabit und 48 Layern auf den Markt.
Chuck Sobey, General Chair der FMS, betonte die revolutionäre Wirkung der 3D-Flashspeichertechnologie von KIOXIA auf die Datenspeicherung. „KIOXIA hat die Technologie nicht nur weiterentwickelt, sondern zu einer fortschrittlichen Lösung transformiert, die den höchsten Ansprüchen moderner Computertechnologie gerecht wird“, sagte Sobey.
Die 3D-Stacking-Struktur des BiCS FLASH hat die Speicherindustrie grundlegend verändert, indem sie sowohl die Kapazität als auch die Leistung steigerte. Diese Technologie ermöglicht Speicherlösungen mit höherer Dichte bei gleichbleibender Zuverlässigkeit und Effizienz. Dies eröffnet neue Möglichkeiten für Rechenzentren, Unterhaltungselektronik und mobile Geräte und setzt einen neuen Standard für Flashspeicher. Durch das vertikale Stacking werden die Beschränkungen von planarem NAND-Flash überwunden, was den Weg für zukünftige Entwicklungen ebnet.
Atsushi Inoue, Vice President und Technology Executive der Memory Division bei KIOXIA, betonte den unschätzbaren Wert der technischen Innovation im Bereich der 3D-Flashspeicher. „Diese Technologie stellt einen Paradigmenwechsel in der Branche dar und ermöglicht es uns, die Speicherdichte erheblich zu erhöhen“, sagte Inoue.
Die 3D-Flashspeicher-Technologie BiCS FLASH wurde bereits mehrfach ausgezeichnet, darunter 2020 mit dem „Imperial Invention Prize“ der National Commendation for Invention in Japan, 2023 mit dem „Award for Science and Technology“ des japanischen Ministeriums für Bildung, Kultur, Sport, Wissenschaft und Technologie sowie 2021 mit dem IEEE Andrew S. Grove Award.
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