SK Hynix stellt weltweit erste 1c DDR5-Speicher vor

Diese Innovation basiert auf dem sechsten Generation 10nm Fertigungsprozess und soll ab dem nächsten Jahr in großen Mengen ausgeliefert werden.

SK hynix plant, die Massenproduktion des 1c DDR5-Speichers noch in diesem Jahr zu starten und die Auslieferung im kommenden Jahr zu beginnen. Das Unternehmen betont, dass der neue Speicher im Vergleich zum 1b DDR5 eine verbesserte Kostenwettbewerbsfähigkeit und gesteigerte Produktivität durch technologische Innovationen bietet.

Der 1c DDR5-Speicher ist speziell für Hochleistungs-Rechenzentren konzipiert und bietet eine um 11 Prozent höhere Betriebsgeschwindigkeit sowie eine um über 9 Prozent verbesserte Energieeffizienz. Diese Fortschritte sollen den Anforderungen moderner Datenzentren gerecht werden und deren Leistungsfähigkeit steigern.

Kim Jonghwan, Leiter der DRAM-Entwicklung bei SK hynix, erklärte: „Wir sind bestrebt, unseren Kunden durch den Einsatz der 1c-Technologie, die beste Leistung und Kostenwettbewerbsfähigkeit bietet, einen Mehrwert zu bieten. Diese Technologie wird in unsere wichtigsten Produkte der nächsten Generation, einschließlich HBM, LPDDR6 und GDDR7, integriert.“ Er fügte hinzu, dass das Unternehmen weiterhin daran arbeiten werde, seine Führungsposition im DRAM-Bereich zu behaupten und sich als vertrauenswürdigster Anbieter von KI-Speicherlösungen zu positionieren.