Fortschrittliches EUV-Lithografiesystem mit 11,2 nm Wellenlänge wird in Russland entwickelt

Unter der Leitung von Nikolay Chkhalo vom Institut für Mikrostrukturphysik der Russischen Akademie der Wissenschaften zielt das Projekt darauf ab, kostengünstigere und weniger komplexe Lithografieanlagen zu entwickeln.

Die neuen russischen EUV-Systeme sollen mit Xenon-Lasern arbeiten, im Gegensatz zu den Zinn-Lasern, die in ASML-Systemen verwendet werden. Laut Chkhalo bietet die 11,2-nm-Wellenlänge eine etwa 20-prozentige Verbesserung der Auflösung. Dies könnte das Design der optischen Komponenten vereinfachen und die Herstellungskosten senken. Zudem wird erwartet, dass die Verschmutzung der optischen Elemente reduziert wird, was die Lebensdauer wichtiger Teile wie Kollektoren und Schutzfolien verlängern könnte.

Der Entwicklungsplan umfasst drei Hauptphasen:

• 1. Forschung und Entwicklung: In dieser Phase werden die grundlegenden Technologien und Komponenten entwickelt und getestet.
• 2. Prototypenbau: Hierbei wird eine Maschine entwickelt, die in der Lage ist, 60 200-mm-Wafer pro Stunde zu bearbeiten.
• 3. Produktionsstart: Schließlich soll eine produktionsreife Anlage entstehen, die 60 300-mm-Wafer pro Stunde verarbeiten kann.

Obwohl diese Maschinen nicht die Geschwindigkeit der ASML-Systeme erreichen werden, da sie nur etwa 37 Prozent des Durchsatzes bieten und eine 3,6 kW-Lichtquelle verwenden, sind sie dennoch für die Produktion kleinerer Serien geeignet.

Die Umstellung auf die 11,2-nm-Wellenlänge erfordert die Entwicklung eines komplett neuen Produktionssystems. Dies umfasst spezielle Spiegel, Beschichtungen, Maskendesigns und Fotolacke. Auch die Software-Tools für das Chipdesign müssen angepasst werden, insbesondere für die Aufbereitung der Maskendaten und die optischen Korrekturen.

Ein genauer Zeitplan für die Entwicklungsschritte liegt noch nicht vor. Experten schätzen jedoch, dass der Aufbau eines vollständigen Lithografiesystems zehn Jahre oder länger dauern könnte.