Micron stellt die nächste DRAM-Generation mit EUV-Technologie vor

Micron wird das erste Halbleiterunternehmen sein, das EUV-Technologie für die Produktion von DRAM einsetzt. Die Fabrik in Hiroshima soll dabei eine entscheidende Rolle in der Entwicklung des 1-Gamma-Nodes spielen. In den nächsten Jahren plant Micron, bis zu 500 Milliarden Yen in die 1-Gamma-Prozesstechnologie zu investieren, unterstützt durch die japanische Regierung, um die nächste Welle technologischer Innovationen zu ermöglichen, darunter generative künstliche Intelligenz (KI).

Mit jedem Fortschritt in der Prozesstechnologie zur Skalierung von Speicherzellen verbessert Micron die Speicherdichte, Energieeffizienz und senkt so die Kosten pro Speicher-Bit. Die Einführung des 1-Gamma-Nodes folgt der Entwicklung von Microns 1-Beta (1β), dem derzeit fortschrittlichsten DRAM-Node der Branche, der bereits in der Fabrik in Hiroshima in Massenproduktion hergestellt wird. Micron setzt seine Fortschritte in der EUV-Integration fort und plant, ab 2025 die EUV-Produktion in Taiwan und Japan hochzufahren.

EUV-Lithographie ist derzeit der fortschrittlichste Halbleiterherstellungsprozess der Welt. Die Integration von EUV in den nächsten Speicher-Node von Micron soll dabei eine Schlüsselrolle spielen, schnellere, energieeffizientere und leistungsstärkere Speicherprodukte zu liefern und die Innovationsführerschaft von Micron in der Speicherindustrie weiter voranzutreiben.

Die auf 1-Beta basierende LPDDR5X-Speichertechnologie werden bereits in der Automobilbranche und auch von privaten Kunden in Asien, den USA und Europa genutzt. Die aktuellen Speicher von Micron bieten nach eigenen Angaben bereits eine geringe Leistungsaufnahme und hohe Leistung für KI, intelligente Fahrzeuge.